|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
страницы:
1
Текущая страница: 1
|
|
Основные свойства синхротронного излучения.
Синхротронное излучение (СИ) испускается заряженными частицами (электронами, протонами, позитронами), движущимися с релятивистскими скоростями по искривлен ным траекториям. Генерация СИ обусловлена наличием у частицы центростремитель ного ускорения. Предсказанное в конце прошлого века и открытое почти 50 лет назад (1945г.) СИ рассматривалось вначале как “помеха” в работе циклических ускорителей - синхротронов. Только в последние 10(15 лет СИ привлекло внимание исследователей исключительным богатством своих специфических свойств и возможностью их примене ния.
Структура накопителя электронов.
ПМ - поворотные магниты; В - магнитное поле; Р - вектор поляризации фотонов, излу чаемых в плоскости орбиты электронов; Щ - щель канала вывода, ограничивающая ширину пучка СИ по горизонтали.
Си обладает следующими уникальными свойствами:
СИ - излучение с исключительно высокой коллимацией пучка. Пучок СИ испускается электроном по касательной к траектории и имеет угловую расходимость (((-1, где ( - релятивистский фактор (отношение энергии электронов Е в накопителе к энергии покоя электрона Е0=0.511МэВ); для типичных значений Е(1ГэВ имеем ((103 и ((1мра(.
СИ обладает широким, непрерывным, легко перестраиваемым спектром, перекры вающим практически весь рентгеновский диапазон и область ультрафиолетового излуче ния (0.1(100нм). Для описания спектральных свойств СИ вводится понятие крити ческой длины волны (с. Это длина волны, которая делит энергетический спектр СИ на две равные части (суммарная энергия излучаемых фотонов с длинами волн меньше (с равна суммарной энергии фотонов с длинами волн больше (с).
СИ обладает очень высокой интенсивностью. Интенсивность СИ в наиболее важ ном для исследований и технологии рентгеновском диапазоне более чем на пять порядков превышает интенсивность рентгеновских трубок.
СИ обладает естественной поляризацией: строго линейной на оси пучка (вектор электрического поля лежит в плоскости орбиты электронов) и строго циркулярной на его периферии. Поляризация СИ играет важную роль во многих прецизионных методах исследования материалов и структур микроэлектроники.
Перечисленные выше уникальные свойства синхротронного излучения позволяют под нять на новый качественный уровень субмикронную микротехнологию и аналитические методы диагностики субмикронных функциональных структур.
Контраст в системах экспонирования с применением синхротронного излучения.
Рентгенолитография с применением синхротронного излучения - это многофакторный технологический процесс, в котором важную роль играют параметры многих компонен тов литографической системы: источника излучения, канала вывода, рентгеношаблона, рентгенорезиста.
Главный фактор, определяющий потенциальные возможности того или иного лито графического метода в микротехнологии СБИС - разрешение или минимальный размер надежно воспроизводимого в резисте элемента рентгеношаблона. В рентгенолитографии разрешение определяется, с одной стороны, волновой природой рентгеновского излучения (дифракционные искажения), с другой стороны, нелокальным характером формирования реального скрытого изображения (генерация фото- и оже- электронов рентгеновскими фотонами и вторичное экспонирование резиста этими электронами). Кроме того, реаль ное технологическое разрешение очень сильно зависит от процесса проявления полученного скрытого изображения.
Для оценки эффективности работы рентгенолитографической системы экспонирова ния в той или иной области спектра нужно учитывать не только спектральную эффек тивность рентгенорезиста, но и рентгеновскую прозрачность, то есть оптические характеристики литографического канала вывода СИ. Поэтому в системах экспониро вания с применением рентгеновского излучения (например, в рентгенолитографических системах экспонирования) одним из важных параметров является контраст получаемого рентгеновского изображения (например контраст скрытого изображения в рентгеноре зисте).
Схема рентгенографической системы экспонирования в пучках СИ.
1 - вакуумное окно; 2 - мембрана рентгеношаблона; 3 - маска; 4 - резист; 5 - рабочая пластина.
Текущая страница: 1
|
|
|
|
|
 |
Предмет: Физика
|
 |
Тема: Расчет характеристик канала вывода СИ (синхротронного излучения) |
 |
Ключевые слова: Радиоэлектроника компьютеры и периферийные устройства, устройства, Расчет, канала, характеристик, компьютеры, вывода, Расчет характеристик канала вывода СИ (синхротронного излучения), Радиоэлектроника, периферийные, излучения), (синхротронного |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
