|
|
|
|
|
|
|
|
страницы:
1
2
Текущая страница: 1
|
|
Министерство высшего образования РФ. Уральский государственный университет – УПИ Кафедра “Технология и средства связи”
Расчетно-графическая работа Полупроводниковый диод «КД213А»
Преподаватель: Болтаев А.В. Студент: Черепанов К.А. Группа: Р-207
Екатеринбург 2000
Аннотация В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R=, r~, C; расчитываются TKUпр, TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.
Содержание Краткая характеристика диода 4 Паспортные параметры: 4 Электрические 4 Предельные эксплуатационные 4 Вольт-амперная характеристика 5 При комнатной температуре 5 При повышенной 6 Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С 6 Определение величины TKUпрям TKIобр 6 Определение сопротивления базы rб 9 Приближенное 9 Точное 9 Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема 10 Библиографический список 10 Затраты времени на: 10 Информационный поиск 10 Расчеты 10 Оформление 10
Краткая характеристика диода Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса. Масса диода не более 4 г. КД213А
Рисунок 1 Паспортные параметры: Электрические Постоянное прямое напряжение при Iпр=10А, не более: Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В Постоянный обратный ток при, не более: Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А: КД213А…………………………………………………………...………………………300нс Емкость диода, не более: при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ
Предельные эксплуатационные Постоянное (импульсное) обратное напряжение……………………..………200В Постоянный (средний) прямой ток при RТ(П-С)? 1,5°С/Вт ……..…..………10А Импульсный прямой ток при tи? 10мс, Q?1000………………...…………100А Импульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при tи? 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГц Тепловое сопротивление переход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт
Температура перехода: ……………………………………………………...+140°С Температура окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С
Общая таблица параметров
Предельные значения параметров при Т=25?С Tk max (Tпмах) [Тмах]?С Значения параметров при Т= 25?С R т п-к, ?С/Вт
I пр, ср max А
Uобр, и, п мах, В Uобр мах, В Iпрг (Iпр, уд)мах, А
fмах, кГц
Uпр (Uпр, ср) [Uпр, и], В
tвос, обр (tвос, обр при Tп мах), мкс
I обр(I обр, ср) [I обр, и, п, при Т п мах], мА
Т?С
tи(tпр), мс
Iпр (Iпр, ср) [Iпр, и], А
Iпр, и, А Uпр, и, В
10 85 200 200 100 10 100 140 1 10 0,3 1 20 0,2 1,5
Вольт-амперная характеристика При комнатной температуре
При повышенной
Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С
Зависимость R= от Uпр
Uпр 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1
R= 0,3 0,2333333 0,16 0,1125 0,090909 0,073333
Зависимость r~ от Uпр
Uпр 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
r~ 0,1 0,0666667 0,05 0,044444 0,038462
Зависимость R= от Uобр
Uобр 50 100 150 200 250 300
R= 3571429 6666666,7 8333333 4878049 2777778 1304348
Зависимость r~ от Uобр
Uобр 50 100 150 200 250
r~ 50000000 25000000 5555556 2631579 1157407
Зависимость Cдиф от Uпр
Uпр 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1
Сдиф 0,08 0,12 0,2 0,32 0,44 0,6
Зависимост Сб от Uобр
Определение величины TKUпрям TKIобр
Определение сопротивления базы rб Приближенное
Точное
Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема
Библиографический список Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с. Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь , 1979.– 432 с., ил. Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158) Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил.
Текущая страница: 1
|
|
|
|
|
Предмет: Физика
|
|
Тема: Расчетно-Графическая работа ППД КД213А |
|
Ключевые слова: Радиоэлектроника компьютеры и периферийные устройства, устройства, КД213А, РГР, Полупроводник, диод, РГР диод Полупроводник kd213a, компьютеры, kd213a, Радиоэлектроника, ППД, Расчетно-Графическая работа ППД КД213А, периферийные, работа, Расчетно-Графическая |
|
|
|
|
|
|
|
|