Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2  : Физика - на REFLIST.RU

Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2 : Физика - на REFLIST.RU

Система поиска www.RefList.ru позволяет искать по собственной базе из 9 тысяч рефератов, курсовых, дипломов, а также по другим рефератным и студенческим сайтам.
Общее число документов более 50 тысяч .

рефераты, курсовые, дипломы главная
рефераты, курсовые, дипломы поиск
запомнить сайт
добавить в избранное
книжная витрина
пишите нам
  Ссылки:
Канада из Челябинска
Список категорий документа Физика
Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2

Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2

Радиоэлектроника  компьютеры и периферийные устройства, устройства, Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2, Радиоэлектроника, периферийные, радиоэлектронной, компьютеры, база, аппаратуры-2, Элементная Ключевые слова
страницы: 1  2 
Текущая страница: 1


УПИ – УГТУ


Кафедра радиоприёмные устройства.















Контрольная работа № 2

по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.


Вариант № 17

Шифр:


Ф.И.О


Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3





















Работу не высылать.
УПИ – УГТУ


Кафедра радиоприёмные устройства.















Контрольная работа № 2

по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.


Вариант № 17

Шифр:


Ф.И.О


Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3





















Работу не высылать.
Аннотация.



Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.






Исходные данные:





Тип транзистора ………………………………………………………………… ГТ310Б
Величина напряжения питания Еп ……………………………………………... 5 В
Сопротивление коллекторной нагрузки Rк …………………………………… 1,6 кОм
Сопротивление нагрузки Rн ……………………………………………………. 1,8 кОм


Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно- ёмкостной связью с нагрузкой.







Биполярный транзистор ГТ310Б.




Краткая словесная характеристика:



Транзисторы германиевые диффузионно- сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные.
Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г..



Электрические параметры.



Коэффициент шума при ? = 1,6 МГц, Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА не более ……………. 3 дБ
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала
при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ? = 50 – 1000 Гц ……………………………….. 60 – 180
Модуль коэффициента передачи тока H21э
при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ? = 20 МГц не менее …………………………... 8
Постоянная времени цепи обратной связи
при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ? = 5 МГц не более ………………………….… 300 пс
Входное сопротивление в схеме с общей базой
при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА …………………………………………………… 38 Ом
Выходная проводимость в схеме с общей базой
при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ? = 50 – 1000 Гц не более …………………….. 3 мкСм
Ёмкость коллектора при Uкб= 5 В, ? = 5 МГц не более ………………………… 4 пФ



Предельные эксплуатационные данные.



Постоянное напряжение коллектор- эмиттер:
при Rбэ= 10 кОм ……………….………………………………………… 10 В
при Rбэ= 200 кОм ……………….……………………………………….. 6 В
Постоянное напряжение коллектор- база ………………………………………... 12 В
Постоянный ток коллектора ……………………………………………………… 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 – 308 К ………... 20 мВт
Тепловое сопротивление переход- среда ………………………………………... 2 К/мВт
Температура перехода ……………………………………………………………. 348 К
Температура окружающей среды ………………………………………………... От 233 до
328 К


Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 – 328 К определяется по формуле:

PК.макс= ( 348 – Т )/ 2


Входные характеристики.


Для температуры Т = 293 К :


Iб, мкА









200









160









120









80









40









0
0,05
0,1
0,15
0,2
0,25
0,3
0,35
Uбэ,В 



Выходные характеристики.


Для температуры Т = 293 К :



Iк ,
мА 








9








8








7








6








5








4








3








2








1








0
1
2
3
4
5
6
Uкэ,В 


Нагрузочная прямая по постоянному току.



Уравнение нагрузочной прямой по постоянному току для схемы включения с общим эмиттером:

Построим нагрузочную прямую по двум точкам:
при Iк= 0, Uкэ= Еп = 9 В, и при Uкэ= 0, Iк= Еп / Rк = 9 / 1600 = 5,6 мА

Iк ,
мА 











6












5











4





А






3
Iк0











2











1











0
1
2
3
4
5
Uкэ0
6
7
8
9
Еп 
Uкэ,В 


Iб, мкА










50










40










30
Iб0










20










10










0
0,15
0,17
0,19
0,21
0,23
0,25
0,27
0,29
Uбэ0

0,31
Uбэ,В 


Параметры режима покоя (рабочей точки А):
Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В, Iб0= 30 мкА, Uбэ0= 0,28 В
Величина сопротивления Rб:

Определим H–параметры в рабочей точке.



Iк ,
мА 











6












5












4




?Iк0









3












?Iк 



2











1











0
1
2
3
4
5
Uкэ0
6
7
8
9
Еп 
Uкэ,В 

?Uкэ



Текущая страница: 1

страницы: 1  2 
Список предметов Предмет: Физика
Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2 Тема: Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2
Радиоэлектроника  компьютеры и периферийные устройства, устройства, Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2, Радиоэлектроника, периферийные, радиоэлектронной, компьютеры, база, аппаратуры-2, Элементная Ключевые слова: Радиоэлектроника компьютеры и периферийные устройства, устройства, Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2, Радиоэлектроника, периферийные, радиоэлектронной, компьютеры, база, аппаратуры-2, Элементная
   Книги:


Copyright c 2003 REFLIST.RU
All right reserved. liveinternet.ru

поиск рефератов запомнить сайт добавить в избранное пишите нам