Расчет распределения примесей в кремнии при кристллизац.очистке и диффузионном легировании.  : Химия : Физика - на REFLIST.RU

Расчет распределения примесей в кремнии при кристллизац.очистке и диффузионном легировании. : Химия : Физика - на REFLIST.RU

Система поиска www.RefList.ru позволяет искать по собственной базе из 9 тысяч рефератов, курсовых, дипломов, а также по другим рефератным и студенческим сайтам.
Общее число документов более 50 тысяч .

рефераты, курсовые, дипломы главная
рефераты, курсовые, дипломы поиск
запомнить сайт
добавить в избранное
книжная витрина
пишите нам
  Ссылки:
Барбадос из Челябинска
Список категорий документа Химия Физика
Расчет распределения примесей в кремнии при кристллизац.очистке и диффузионном легировании.

Расчет распределения примесей в кремнии при кристллизац.очистке и диффузионном легировании.

Расчет, дипломные, Расчет распределения примесей в кремнии при кристллизац.очистке и диффузионном легировании., технические, примесей, кремнии, распределения, кристллизац.очистке, работы:, легировании., при, Курсовые, диффузионном, Курсовые и дипломные работы: технические Ключевые слова
страницы: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
Текущая страница: 1


Государственный комитет РФ по высшему образованию


Новгородский Государственный университет

им. Ярослава Мудрого


Кафедра физики твердого тела и микроэлектроники








”РАСЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ

В КРЕМНИИ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИОНОЙ ОЧИСТКЕ

И ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАННИИ”




Пояснительная записка

к курсовой работе

по дисциплине

”Физико-химические основы технологии микроэлектроники”










Выполнил
Студент группы 7033у
Н.Е.Родин
Проверил
Преподаватель кафедры ФТТМ
Б.М.Шишлянников



1998


ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

на курсовую работу по дисциплине

«Физико-химические основы технологии микроэлектроники»


Студенту гр. 7033 Родину Н.Е.


1. Рассчитать распределение примесей вдоль слитка полупроводникового материала при очистке зонной плавкой (один проход расплавленной зоной).
материал кремний
примеси - Ga,P и Sb
исходное содержание примесей (каждой) 0,02% (массовых)
Для трех скоростей перемещения зоны Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин.
2. Проанализировать бинарную диаграмму состояния Si -Ga и представить графически область существования твердых растворов примеси, найти предельную твердую растворимость примеси и температуру предельной растворимости.
Рассчитать и построить распределение указанной выше примеси (Ga) в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условия диффузии:
??при условии бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии – 30 мин.
??при температуре 950 оС; время диффузии – 30 мин.
??после перераспределения примеси, накопленной в приповерхностном слое полупроводника при температуре 950 оС и времени диффузии – 30 мин . Условия перераспределения - полностью отражающая граница, температура 1150 оС, время 2 часа.
Срок сдачи законченной работы руководителю - июнь 1998 г.
Преподаватель........................................Б.М. Шишлянников
Студент .....................................................Н.Е. Родин

Реферат.


В курсовом проекте производится расчет распределения примеси вдоль слитка кремния зонной плавкой. Расчет производится для трех примесей (Ga,P и Sb) для трех скоростей (Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин). Кроме того расчет распределения Ga в кремнии после диффузионного отжига при различных условиях диффузии.
Курсовая работа содержит графики распределения примеси как при зонной плавке, так и при диффузии.





























Содержание.


Введение…………………………………………………………………
5

1.
Расчетная часть………………………………………………………..
6

1.1
Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель……
6

1.2
Расчет распределения примеси вдоль слитка кремния после зонной плавки (один проход расплавленной зоной)………………………..

10

1.2.1
Расчет распределения Si-Ga……………………………………………
10

1.2.2
Расчет распределения Si-P……………………………………………...
13

1.2.3
Расчет распределения Si-Sb…………………………………………….
14

1.3
Распределение примесей после диффузии…………………………….
18

1.3.1
Распределение примеси при диффузии из полубесконечного пространства (диффузия из концентрационного порога)………………..

21

1.3.2
Распределение примеси при диффузии из постоянного источника в полубесконечное тело…………………………………………………..

22

1.3.3
Распределение примеси при диффузии из слоя конечной толщины (диффузия из ограниченного источника) в полубесконечное тело с отражающей границей………………………………………………….


24

1.3.4
Распределение примеси при диффузии из бесконечно тонкого слоя в полубесконечное тело с отражающей границей……………………

25

1.4
Расчет распределения примеси после диффузионного легирования.
28

1.4.1
Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии 30мин………


28

1.4.2
Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины при Т=9500 С, и времени диффузии 30 мин……………….

29

1.4.3
Распределение примеси после перераспределения примеси накопленной в приповерхностном слое полупроводника при Т=950ОС и времени диффузии 30мин. Условие перераспределения полностью отражающая граница. Т=1150ОС, время 2 часа……………………….



30


Заключение……………………………………………………………...
32


Литература……………………………………………………………....
33











Введение.


Каждое вещество может находится в состоянии которое характеризуется содержанием примеси в нем ниже некоторого определенного предела. Предел определяется различными условиями связанными со свойствами, областью применения веществ. Для полупроводниковых материалов достижения собственных свойств или близких к ним является тем необходимым пределом до которого материалы должны очищаться. При обосновании необходимой очистки нужно руководствоваться и экономической целесообразности очистки.



Текущая страница: 1

страницы: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
Список предметов Предмет: Химия Физика
Расчет распределения примесей в кремнии при кристллизац.очистке и диффузионном легировании. Тема: Расчет распределения примесей в кремнии при кристллизац.очистке и диффузионном легировании.
Расчет, дипломные, Расчет распределения примесей в кремнии при кристллизац.очистке и диффузионном легировании., технические, примесей, кремнии, распределения, кристллизац.очистке, работы:, легировании., при, Курсовые, диффузионном, Курсовые и дипломные работы: технические Ключевые слова: Расчет, дипломные, Расчет распределения примесей в кремнии при кристллизац.очистке и диффузионном легировании., технические, примесей, кремнии, распределения, кристллизац.очистке, работы:, легировании., при, Курсовые, диффузионном, Курсовые и дипломные работы: технические
   Книги:


Copyright c 2003 REFLIST.RU
All right reserved. liveinternet.ru

поиск рефератов запомнить сайт добавить в избранное пишите нам