Конструирование микросхем и микропроцессоров  : Информатика - на REFLIST.RU

Конструирование микросхем и микропроцессоров : Информатика - на REFLIST.RU

Система поиска www.RefList.ru позволяет искать по собственной базе из 9 тысяч рефератов, курсовых, дипломов, а также по другим рефератным и студенческим сайтам.
Общее число документов более 50 тысяч .

рефераты, курсовые, дипломы главная
рефераты, курсовые, дипломы поиск
запомнить сайт
добавить в избранное
книжная витрина
пишите нам
  Ссылки:
Тайвань из Челябинска
Список категорий документа Информатика
Конструирование микросхем и микропроцессоров

Конструирование микросхем и микропроцессоров

комп-ры, Конструирование микросхем и микропроцессоров, микропроцессоров, микросхем, Программирование и комп-ры, Программирование, Конструирование Ключевые слова
страницы: 1  2  3  4  5  6 
Текущая страница: 1


Московский Государственный институт электроники и математики

(Технический университет)






Кафедра: РТУиС





Пояснительная записка

по выполнению курсового проекта на тему:

“Конструирование микросхем и микропроцессоров”






Выполнил: студент группы Р-72
Густов А.М.

Руководитель: доцент кафедры РТУиС,
кандидат технических
наук Мишин Г.Т.





Москва, 1994


Задание на курсовое проектирование


В
данном курсовом проекте требуется разработать комплект конструкторской документации интегральной микросхемы К 237 ХА2. По функциональному назначению разрабатываемая микросхема представляет собой усилитель промежуточной частоты. Микросхема должна быть изготовлена по тонкопленочной технологии методом свободных масок (МСМ) в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИМС).





Рис. 1. Схема электрическая принципиальная



Таблица 1. Номиналы элементов схемы:

Элемент

Номинал

Элемент

Номинал

Элемент

Номинал

Элемент

Номинал


R1

950 Ом

R7

4,25 кОм

R13

1 кОм

R19

1 кОм


R2

14 кОм

R8

12,5 кОм

R14

3,5 кОм

C1

3800 пФ


R3

45 кОм

R9

500 Ом

R15

10 кОм

VT1-VT8

КТ 312


R4

35 кОм

R10

3 кОм

R16

3,5 кОм

E

7,25 В


R5

12,5 кОм

R11

10 кОм

R17

2,5 кОм






R6

950 Ом

R12

500 Ом

R18

1 кОм










Для подачи на схему входного сигнала и снятия выходного к микросхеме требуется подключить некоторое количество навесных элементов. Одна из возможных схем включения приведена на следующем рисунке.



Рис. 2. Возможная схема включения


Таблица 2. Номиналы элементов схемы включения

Элемент

Номинал

Элемент

Номинал


RA

8,2 кОм

CB

1 мкФ


RB

43 Ом

CC

0,033 мкФ


RC

2,2 кОм

CD

0,015 мкФ


RD

1,5 кОм

CE

4700 пФ


CA

3300 пФ

CF

3300 пФ



Технические требования:


Конструкцию микросхемы выполнить в соответствии с электрической принципиальной схемой по тонкопленочной технологии методом свободных масок в корпусе.
Микросхема должна удовлетворять общим техническим условиям и удовлетворять следующим требованиям:
предельная рабочая температура - 150( С;
расчетное время эксплуатации - 5000 часов;
вибрация с частотой - 5-2000 Гц;
удары многократные с ускорением 35;
удары однократные с ускорением 100;
ускорения до 50.

Вид производства - мелкосерийное, объем - 5000 в год.




Аннотация


Ц
елью данного курсового проекта является разработка интегральной микросхемы в соответствии с требованиями, приведенными в техническом задании. Микросхема выполняется методом свободных масок по тонкопленочной технологии.
В процессе выполнения работы мы выполнили следующие действия и получили результаты:

- произвели электрический расчет схемы с помощью программы электрического моделирования “VITUS”, в результате которого мы получили необходимые данные для расчета геометрических размеров элементов;

- произвели расчет геометрических размеров элементов и получили их размеры, необходимые для выбора топологии микросхемы;

- произвели выбор подложки для микросхемы и расположили на ней элементы, а также в соответствии с электрической принципиальной схемой сделали соединения между элементами;

- выбрали корпус для микросхемы с тем расчетом, чтобы стандартная подложка с размещенными элементами помещалась в один из корпусов, рекомендуемых ГОСТом 17467-79.





















Введение


П
риведем принципы работы и основные характеристики разрабатываемой микросхемы:
Микросхема К 237 ХА 2 предназначена для усиления и детектирования сигналов ПЧ (промежуточной частоты) радиоприемных устройств не имеющих УКВ диапазона, а также для усиления напряжения АРУ (автоматической регулировки усиления). Широкополосный усилитель ПЧ состоит из регулируемого усилителя на транзисторах Т4, Т5 и Т6. Усиленный сигнал поступает на детектор АМ-сигналов (амплитудно-модулированных сигналов), выполненный на составном транзисторе Т7, Т8. Низкочастотный сигнал с резистора R19, включенного в эмиттерную цепь, подается через внешний фильтр на предварительный усилитель НЧ (низкой частоты), а также через резистор R15 на базу транзистора Т3, входящего в усилитель АРУ. Усиленное напряжение АРУ снимается с эмиттера транзистора Т2. Изменение напряжения на эмиттере транзистора Т2 вызывает изменение напряжения питания транзистора Т1, а следовательно и его усиления.
На частоте 465 кГц коэффициент усиления усилителя ПЧ составляет 1200 - 2500. Коэффициент нелинейных искажений не превышает 3%. Если входной сигнал меняется от 0,05 до 3 мВ, то изменение выходного напряжения не превышает 6дБ. Напряжение на выходе системы АРУ при отсутствии выходного сигнала составляет 3 - 4,5 В. Напряжение питания составляет 3,6 - 10 В. Потребляемая мощность не более 35 мВт.



Текущая страница: 1

страницы: 1  2  3  4  5  6 
Список предметов Предмет: Информатика
Конструирование микросхем и микропроцессоров Тема: Конструирование микросхем и микропроцессоров
комп-ры, Конструирование микросхем и микропроцессоров, микропроцессоров, микросхем, Программирование и комп-ры, Программирование, Конструирование Ключевые слова: комп-ры, Конструирование микросхем и микропроцессоров, микропроцессоров, микросхем, Программирование и комп-ры, Программирование, Конструирование
   Книги:


Copyright c 2003 REFLIST.RU
All right reserved. liveinternet.ru

поиск рефератов запомнить сайт добавить в избранное пишите нам